AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21090HR3 MRF5S21090HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. 2--Carrier W--CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
0--55106
Pout, POWER (WATTS) W--CDMA
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
30
-- 2 5
25
-- 3 0
20
-- 3 5
15
-- 4 0
5
-- 5 0
110
ηD
Gps
ACPR
IM3
-- 4 5
10
VDD=28Vdc,IDQ
= 850 mA, f1 = 2135 MHz,
f2 = 2145 MHz, 2 x W--CDMA, 10 MHz
@ 3.84 MHz Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
-- 1 5
-- 2 0
40
35
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
220
109
100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
108
107
120 140 160 180 200
246810
.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W--CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
-- 11 0
--120
-- 7 0
-- 2 0
-- 8 0
-- 6 0
-- 5 0
(dB)
-- 9 0
--100
-- 4 0
-- 3 0
3.84 MHz
Channel BW
-- I M 3 i n
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
--ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
--25 2551510
20
0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
MTTF FACTOR (HOURS x AMPS
2
)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
W--CDMA TEST SIGNAL
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @
±5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @
±10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
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